图文详情
- ISBN:9787030367310
- 装帧:一般胶版纸
- 册数:暂无
- 重量:暂无
- 开本:32开
- 页数:355
- 出版时间:2013-03-01
- 条形码:9787030367310 ; 978-7-03-036731-0
内容简介
本书从薄膜的角度介绍相平衡和晶体表面原子结构的基础知识,讲解了薄膜中的缺陷和扩散、薄膜生长的三种模式和成核长大动理学,介绍了金属薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜的生长和生长中出现的分形现象,*后介绍了薄膜制备和研究的各种方法。
目录
第二版前言**版前言**章 相平衡和界面相 1.1 相平衡 1.2 元素和合金的相图 1.3 固溶体的能量 1.4 固溶体的组态熵 1.5 界面相 1.6 界面曲率半径对压强的影响 1.7 晶体表面能、界面能和黏附能 1.8 固体表面张力的测定方法 1.9 表面能对薄膜稳定性的影响 参考文献 2.1 晶体的对称性 2.1.1 晶体的平移对称性(平移群) 2.1.2 14种布拉维点阵和7种晶系 2.1.3 32种点群 2.1.4 230种空间群 2.1.5 群的基本概念 2.2 晶体表面的对称性 2.2.1 晶体表面的平移对称性 2.2.2 5种二维布拉维点阵和4种二维晶系 2.2.3 10种二维点群 2.2.4 17种二维空间群 2.3 晶面间距和晶列间距公式 2.3.1 晶面间距公式 2.3.2 晶列间距公式 2.4 倒易点阵 2.4.1 三维倒易点阵 2.4.2 二维倒易点阵 2.4.3 倒易点阵矢量和晶列、晶面的关系 参考文献第三章 晶体表面原子结构 3.1 一些晶体表面的原子结构 3.2 表面原子的配位数 3.3 表面的台面-台阶-扭折(TLK)结构 3.4 邻晶面上原子的近邻数 3.5 晶体表面能的各向异性 3.6 台阶和台面的粗糙化 参考文献第四章 再构表面和吸附表面 4.1 再构表面和吸附表面结构的标记 4.2 半导体再构表面结构 4.2.1 Si(111) 4.2.2 Si(001) 4.2.3 Si(110) 4.2.4 Ge(111) 4.2.5 Ge(001) 4.2.6 GeSi(111) 4.2.7 GaAs(110) 4.2.8 GaAs(001) 4.2.9 GaAs(111) 4.3 金属再构表面结构 4.4 吸附表面结构 4.4.1 物理吸附和化学吸附 4.4.2 Si吸附表面 4.4.3 Ge吸附表面 4.4.4 GaAs吸附表面 4.4.5 金属的吸附表面 4.5 表面相变……
第五章 薄膜中的晶体缺陷第六章 外延薄膜中缺陷的形成过程第七章 薄膜中的扩散第八章 薄膜的成核长大热力学第九章 薄膜的成核长大动理学第十章 金属薄膜的生长第十一章 半导体薄膜的生长第十二章 氧化物薄膜的生长第十三章 薄膜中的分形第十四章 薄膜的制备方法第十五章 薄膜研究方法索引
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