移动互联网芯片技术体系研究

目 录
第1章 绪论 001
1．1 芯片产业概况 001
1．2 影响芯片产业走向的关键因素 002
1．2．1 生态体系构建 003
1．2．2 芯片技术研发 004
1．2．3 工艺制程 004
1．2．4 用户与伙伴 005
1．2．5 政策扶持 005
1．3 我国移动互联网芯片发展的机遇与挑战 005
1．3．1 后来居上的创新机遇 005
1．3．2 未来升级的挑战和短板 007
第2章 移动互联网主要终端芯片 011
2．1 基带处理器 012
2．1．1 基带芯片 012
2．1．2 射频芯片 014
2．2 应用处理器 014
2．2．1 CPU 015
2．2．2 GPU 015
2．2．3 AI芯片 016
2．2．4 电源管理芯片 017
2．3 存储芯片 017
2．4 MEMS芯片 020
第3章 移动互联网芯片主要技术体系 022
3．1 芯片设计 022
3．1．1 IP核/Chiplet与SoC设计 025
3．1．2 指令集 027
3．1．3 微架构 032
3．1．4 EDA工具 037
3．2 芯片制造的制程、设备与材料 038
3．2．1 先进制程工艺 038
3．2．2 设备和相关材料 041
3．3 芯片封装与测试 042
3．3．1 SIP技术 043
3．3．2 多芯片fcCSP封装 046
3．3．3 3D封装 047
3．3．4 扇出式封装 049
本章参考文献 052
第4章 MEMS微波功率传感器芯片设计与模拟研究 054
4．1 微波功率传感器及其应用 054
4．2 国内外发展现状 055
4．3 微波功率传感器的设计 059
4．3．1 微波功率传感器的原理与理论 059
4．3．2 微波功率传感器的基本单元与性能 065
4．3．3 微波功率传感器的结构与材料 068
4．3．4 微波功率传感器的制造工艺 071
4．4 仿真软件简介 075
4．5 微波功率传感器的仿真 077
4．6 本章小结 085
本章参考文献 085
第5章 移动互联网芯片先进封装可靠性检测研究 087
5．1 发展现状 089
5．1．1 国内现状 089
5．1．2 国外现状 090
5．2 试验样本及参照标准介绍 092
5．2．1 TSV技术类型 092
5．2．2 TSV芯片结构 092
5．2．3 TSV芯片制造工艺 094
5．3 可靠性试验概述 095
5．3．1 可靠性定义 095
5．3．2 目的 096
5．3．3 分类 096
5．4 可靠性试验标准介绍 096
5．4．1 JESD22-A113E 096
5．4．2 JESD22-A104E 097
5．4．3 JESD22-A118E 097
5．4．4 JESD22-A102E 098
5．4．5 IPC/JEDECJ-STD-020．1 098
5．4．6 GJB 548B―2005 098
5．4．7 GJB 7400―2011 099
5．5 可靠性试验方法 099
5．5．1 试验仪器 099
5．5．2 试验内容及参数确定 100
5．6 表征方法 107
5．6．1 形状分析激光显微镜 107
5．6．2 X射线（X-Ray）检测仪分析 108
5．6．3 超声波扫描电子显微镜（C-SAM）分析 109
5．6．4 场发射扫描电子显微镜（SEM）分析 110
5．6．5 X射线能谱仪（EDS）分析 111
5．6．6 聚焦离子束（FIB）技术 112
5．7 试验数据及图像分析 112
5．7．1 形状分析激光显微镜分析结果 112
5．7．2 初始芯片A、B 113
5．7．3 PC试验后芯片C、D 120
5．7．4 TC试验后芯片E、F 129
5．7．5 UHAST试验后芯片G、H 138
5．7．6 PCT试验后芯片I、J 147
5．8 X-Ray检测仪分析结果 156
5．9 C-SAM分析结果 158
5．10 SEM与EDS分析结果 159
5．11 本章小结 184
本章参考文献 186