纳米加工技术与原理

第1章 纳米加工研究方向简介 1.1 纳米加工 1.2 纳米光刻 1.3 纳米薄膜沉积 1.4 纳米尺度下的刻蚀及图形化工艺 1.5 小结 参考文献 第2章 电子束曝光与显影的基本原理 2.1 引言 2.1.1 电子传输 2.1.2 电子束抗蚀剂 2.1.3 抗蚀剂的显影 2.1.4 工艺参数 2.2 PMMA抗蚀剂工艺窗口 2.2.1 温度对工艺窗口的影响 2.2.2 曝光剂量和显影时间的相互影响 2.2.3 曝光电压的影响 2.3 EBL工艺优化：典型示例 2.3.1 低压曝光、低温显影PMMA工艺 2.3.2 通过控制PMMA实现亚20nm宽桥结构 2.3.3 HSQ亚10nm工艺 2.3.4 HSQ抗蚀剂作为刻蚀掩模：8nm宽桥结构 2.4 缘衬底 2.5 小结 参考文献 第3章 电子束曝光与抗蚀剂工艺的模拟仿真 3.1 引言 3.2 仿真流程图 3.3 电子束曝光仿真模块 3.3.1 建模方法 3.3.2 能量沉积函数 3.3.3 电子束形效应 3.3.4 模拟版图中的能量分布 3.3.5 邻近效应校正 3.4 抗蚀剂模拟模块 3.4.1 宏观尺度下的抗蚀剂建模 3.4.2 介观尺度下的抗蚀剂显影模型建模 3.5 电子束曝光模拟的商用化软件 3.5.1 电子束一物质相互作用 3.5.2 邻近效应校正 3.5.3 现代化的软件工具 3.6 实例 3.6.1 电子束图形化模拟及其在多层膜衬底上复杂版图的测量 3.6.2 模拟电子束曝光中白噪声对32nm节点CD及LER的影响 3.7 小结 参考文献 第4章 氦离子光刻的原理及性能 4.1 引言 4.2 氮离子束系统 4.3 氮离子与物质的相互作用