共振隧穿器件及其应用

《半导体科学与技术丛书》出版说明
序
前言
绪论
0.1　共振隧穿器件
0.2　共振隧穿器件的特点
0.3　共振隧穿器件的分类
0.4　共振隧穿器件的应用
参考文献
第1章　共振隧穿二极管概述和物理基础
1.1　共振隧穿二极管的概述
1.1.1　rtd的工作原理
1.1.2　rtd的设计
1.1.3　rtd的参数及测试
　1.2　rtd的物理模型
1.2.1　rtd的量子力学基础
1.2.2　双势垒单势阱结构共振隧穿的两种物理模型
1.2.3　不同维度下隧穿的特征
　1.3　rtd中电荷积累效应
1.3.1　rtd的电荷积累与负阻区本征双稳态
1.3.2　简化的势阱电荷方程
1.3.3　发射区存在积累层，势阱有积累电荷和集电区存在耗尽层时的势阱电荷方程
1.3.4　负阻区本征双稳态的产生
1.4　强磁场中的共振隧穿效应
1.4.1　不含磁性材料rtd的强磁场共振隧穿效应
1.4.2　势阱含磁性材料的rtd-自旋选择磁rtd
1.5　不对称势垒和不对称势阱结构的共振隧穿效应
1.5.1　不对称势垒结构的共振隧穿效应
1.5.2　不对称势阱结构的共振隧穿效应
参考文献
第2章　共振隧穿二极管的器件模型和模拟
　2.1　电路模拟、器件模型和器件模拟
2.2　rtd的直流器件模型
2.2.1　基于物理参数fv方程rtd模型
2.2.2　高斯函数、指数函数rtd直流模型
2.3　利用atlas器件模拟软件进行rtd器件模拟
2.3.1　atlas模拟软件简介
2.3.2　rtd器件模拟
2.4　利用维格纳函数-泊松方程模拟rtd i-v特性
2.4.1　rtd　i-v特性负阻区平台（plateau-like）结构
2.4.2　数值计算和维格纳函数方程一泊松方程
2.4.3　模拟结果对rtd　j-v特性负阻区平台结构的解释
2.4.4　用模拟结果分析负阻区平台结构和滞后特性随rtd结构参数变化
2.5　rtd交流小信号等效电路模型
2.5.1　简单的rnc等效电路模型
2.5.2　量子阱电感lqw等效电路模型
2.5.3　集电极耗尽区渡越时间等效电路模型
2.5.4　理论综合等效电路模型
参考文献
……
第3章　共振隧穿二极管的设计、制造、测量和可靠性
第4章　带间共振隧穿二极管和锗硅/硅共振隧穿二极管
第5章　共振隧穿晶体管
第6章　共振隧穿型光电器件
第7章　共振隧穿器件在微波、毫米波电路中的应用
第8章　共振隧穿器件在高速数字电路中的应用
第9章　rtd光控单-双稳逻辑转换单元　
第10章　共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和目前研究热点　
附录