半导体物理性能手册-第3卷-(下册)
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- ISBN：9787560345192
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 开本：16开
- 页数：217
- 出版时间：2014-04-01
- 条形码：9787560345192 ; 978-7-5603-4519-2
本书特色
《半导体物理性能手册》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括：structuralproperties结构特性thermalproperties热学性质elasticproperties弹性性质phononsandlatticevibronicproperties声子与晶格振动性质collectiveeffectsandrelatedproperties集体效应及相关性质energy-bandstructure：energy-bandgaps能带结构：能带隙energy-bandstructure：electronandholeeffectivemasses能带结构：电子和空穴的有效质量electronicdeformationpotential电子形变势electronaffinityandschottkybarrierheight电子亲和能与肖特基势垒高度opticalproperties光学性质elastooptic，electrooptic，andnonlinearopticalproperties弹光、电光和非线性光学性质cartiertransportproperties载流子输运性质适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。
内容简介
《半导体物理性能手册》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括：结构特性；热学性质；弹性性质；声子与晶格振动性质；集体效应及相关性质；能带结构：能带隙；电子形变势等。本书为其第3卷的下册。
目录
prefaceacknowledgementscontents of other volumes10 cubic cadmium sulphide (c-cds)11 wurtzite cadmium sulphide (w-cds)12 cubic cadmium selenide (c-cdse)13 wurtzite cadmium selenide (w-cdse)14 cadmium telluride (cdte)15 cubic mercury sulphide (β-hgs)16 mercury selenide (hgse)17 mercury telluride (hgte)
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