低维材料与器件丛书成会明总主编拓扑绝缘体:基础及新兴应用
- ISBN:9787030641175
- 装帧:平脊精装
- 册数:暂无
- 重量:暂无
- 开本:B5
- 页数:176
- 出版时间:2020-03-01
- 条形码:9787030641175 ; 978-7-03-064117-5
本书特色
拓扑绝缘体是一种内部绝缘、界面允许电荷移动的全新量子材料,是科技前沿领域近年来的研究热点。拓扑绝缘体具有独特的电子结构,涉及许多重要的物理现象和机制,并表现出优异的物理化学性质和广阔的器件应用前景。《拓扑绝缘体:基础及新兴应用》基于作者多年在拓扑绝缘体材料领域的科研工作,结合国内外**研究进展,从拓扑绝缘体的理论基础出发,系统而深入地介绍了拓扑绝缘体的材料体系和相应的制备方法,并详细介绍了拓扑绝缘体材料的性质表征及器件应用前景。
内容简介
本书是在编著者多年从事拓扑绝缘体物理化学研究工作经验积累及人才培养的基础上,结合靠前外拓扑绝缘体物理、化学、电子学及相关应用研究进展,撰写而成。本书在扑绝缘体基本理论和拓扑绝缘体材料体系的基础上,力图做到理论联系实际,从物理、化学的角度突出对以拓扑绝缘体材料的材料制备学、表征学及优选电子应用发展和创造性研究。全书分为5章,其中,2章重点介绍了拓扑绝缘体基础理论和材料体系;第3-4章在介绍拓扑绝缘体材料制备方法基础上,进一步介绍了物理性质及优选表征手段;第5章按照几个不同的电子领域,介绍了拓扑绝缘体在新型功能电子器件中的一些潜在应用的研究实例,包括自旋电子、光电、热电等领域。
目录
作者简介
彭海琳,北京大学教授、博士生导师、国家杰出青年科学基金获得者、中组部国家“万人计划”科技创新领军人才。2005年获北京大学理学博士学位,2005-2009年在美国斯坦福大学从事博士后研究,2009年6月到北京大学化学与分子工程学院工作至今。2014年晋升为教授。 主要从事物理化学与新能源纳米技术研究。致力于解决高迁移率二维材料(石墨烯、拓扑绝缘体、金属氧硫族材料等)的可控批量制备与新型器件应用中的问题,实现了高品质石墨烯薄膜和石墨烯单晶晶圆的规模化制备及化学气相沉积批量制备装备研制,开发了超高迁移率二维硒氧化铋半导体芯片材料,建立和发展了拓扑绝缘体二维结构的可控生长方法,实现了首例拓扑绝缘体二维结构阵列的制备,首次观测到拓扑绝缘体的AB量子干涉效应,并开拓了拓扑绝缘体在柔性透明电极的应用,推动了二维材料制备科学与器件应用研究发展。在Science,Nature Materials,NatureChemistry,Nature Nanotechnology,Nature Communications,Science Advances等SC旰U物上发表论文近200篇,被引用逾12000次;获授权发明专利20余项。曾获2017年Small青年科学家创新奖、2017年第二十届茅以升北京青年科技奖、国家自然科学奖二等奖、2018年教育部青年科学奖等荣誉。
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