非晶Ge基磁性半导体的磁性和电输运研究

前言 主要符号说明 缩略词 第1章 绪论 1.1 自旋电子学 1.1.1 自旋轨道耦合 1.1.2 自旋电子器件 1.2 磁性半导体 1.2.1 Si基磁性半导体 1.2.2 Ge基磁性半导体 1.2.3 氢化磁性半导体 1.2.4 磁性半导体潜在的应用 1.3 反常霍尔效应 1.4 研究动机和内容 1.5 技术路线 第2章 样品的制备技术和表征方法 2.1 样品制备技术 2.1.1 薄膜技术 2.1.2 磁控溅射的基本原理 2.1.3 磁控溅射仪简介 2.2 样品的测试分析仪器及原理 2.2.1 X射线衍射仪 2.2.2 X射线光电子能谱仪 2.2.3 红外光谱 2.2.4 透射电子显微镜 2.2.5 交流梯度磁强计 2.2.6 超导量子干涉仪 2.2.7 铁磁共振 2.3 本章小结 第3章 非晶FeCoGe-H及FeCoGe薄膜的制备及成分分析 3.1 引言 3.2 薄膜的制备与结构表征 3.2.1 薄膜的制备 3.2.2 成分及结构分析 3.3 本章小结 第4章 非晶FeCoGe-H薄膜静态磁性测量及分析 4.1 引言 4.2 磁化曲线和磁滞回线简介 4.3 自旋波理论 4.4 实验结果与分析 4.4.1 非晶(FeCo)xGe1-x薄膜的磁化曲线的测量 4.4.2 非晶(FeCo)xGe1-x-H薄膜的磁化曲线的测量 4.4.3 磁化强度与温度的依赖关系 4.4.4 纵向电阻率的测量 4.4.5 霍尔效应的测量 4.5 本章小结 第5章 非晶FeCoGe-H薄膜动态磁性测量及分析 5.1 引言 5.2 一致进动模式 5.3 实验结果与分析 5.3.1 自旋波共振场Hr与角度θH的依赖关系 5.3.2 自旋波劲度系数的定量研究 5.3.3 分析与讨论 5.4 本章小结 第6章 非晶FeCoGe薄膜的电输运性质 6.1 引言 6.2 实验结果与分析 6.2.1 非晶FeCoGe薄膜的霍尔效应 6.2.2 非晶FeCoGe薄膜的纵向电阻率 6.2.3 非晶FeCoGe薄膜霍尔电阻率与纵向电阻率的关联 6.3 非晶FeCoGe薄膜磁电阻 6.4 本章小结 第7章 (FeCo)0.67Ge0.33／Ge异质结的非线性霍尔效应 7.1 引言 7.2 Rashba自旋轨道耦合 7.3 双带模型简介 7.4 (FeCo)0.67Ge0.33／Ge异质结的制备和表征 7.5 实验结果及讨论 7.5.1 (FeCo)0.67Ge0.33／Ge异质结的霍尔效应 7.5.2 (FeCo)0.67Ge0.33／Ge异质结纵向电导率 7.5.3 (Feco)0.67Ge0.33／Ge异质结的磁电阻 7.5.4 双带模型拟合 7.6 非磁性GeAl／Ge异质结霍尔效应 7.7 本章小结 第8章 FeCoGe／Ge肖特基异质结中的整流磁电阻效应 8.1 引言 8.2 肖特基异质结的制备和表征 8.3 讨论与分析 8.4 本章小结 第9章 总结 参考文献