- ISBN:9787111529309
- 装帧:暂无
- 册数:暂无
- 重量:暂无
- 开本:16开
- 页数:283
- 出版时间:2016-03-01
- 条形码:9787111529309 ; 978-7-111-52930-9
本书特色
本书共分为11童,其中,第1章介绍了半导体晶体的能带、结构和载流子分布规律;第2章和第3章描述了pn结二极管、变容二极管、隧道二极管、肖特基二极管和雪崩二极管的特性与工作机理: 第4~6章详细地论述了晶体管的工作机理及其直流特性、频率特性、开关特性与功率特性;第7童给出了晶闸管的结构、原理及其导通、阻断、关断特性;第8章和第9章讲述了mos场效应晶体管的结构、原理与特性,以及纳米级mos器件,包括soi结构、双栅结构、纳米线结构等;第10童论述了异质结双极晶体管、gaas mesfet和高电子迁移率晶体管的工作原理和基本特性;第1 1套介绍了光电池、光敏晶体管和电荷耦合器件。 本书可作为高等院校电子信息、电子科学与技术、光电信息科学与技术专业的本科生教材,教师可根据专业和课时要求选学部分章节。本书亦可作为相关专业科研人员和工程技术人员的参考用书。
内容简介
本书共分为11童,其中,第1章介绍了半导体晶体的能带、结构和载流子分布规律;第2章和第3章描述了pn结二极管、变容二极管、隧道二极管、肖特基二极管和雪崩二极管的特性与工作机理: 第4~6章详细地论述了晶体管的工作机理及其直流特性、频率特性、开关特性与功率特性;第7童给出了晶闸管的结构、原理及其导通、阻断、关断特性;第8章和第9章讲述了MOS场效应晶体管的结构、原理与特性,以及纳米级MOS器件,包括SOI结构、双栅结构、纳米线结构等;第10童论述了异质结双极晶体管、GaAs MESFET和高电子迁移率晶体管的工作原理和基本特性;第1 1套介绍了光电池、光敏晶体管和电荷耦合器件。 本书可作为高等院校电子信息、电子科学与技术、光电信息科学与技术专业的本科生教材,教师可根据专业和课时要求选学部分章节。本书亦可作为相关专业科研人员和工程技术人员的参考用书。
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