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  • ISBN:9787111529309
  • 装帧:暂无
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 开本:16开
  • 页数:283
  • 出版时间:2016-03-01
  • 条形码:9787111529309 ; 978-7-111-52930-9

本书特色

本书共分为11童,其中,第1章介绍了半导体晶体的能带、结构和载流子分布规律;第2章和第3章描述了pn结二极管、变容二极管、隧道二极管、肖特基二极管和雪崩二极管的特性与工作机理: 第4~6章详细地论述了晶体管的工作机理及其直流特性、频率特性、开关特性与功率特性;第7童给出了晶闸管的结构、原理及其导通、阻断、关断特性;第8章和第9章讲述了mos场效应晶体管的结构、原理与特性,以及纳米级mos器件,包括soi结构、双栅结构、纳米线结构等;第10童论述了异质结双极晶体管、gaas mesfet和高电子迁移率晶体管的工作原理和基本特性;第1 1套介绍了光电池、光敏晶体管和电荷耦合器件。 本书可作为高等院校电子信息、电子科学与技术、光电信息科学与技术专业的本科生教材,教师可根据专业和课时要求选学部分章节。本书亦可作为相关专业科研人员和工程技术人员的参考用书。

内容简介

本书共分为11童,其中,第1章介绍了半导体晶体的能带、结构和载流子分布规律;第2章和第3章描述了pn结二极管、变容二极管、隧道二极管、肖特基二极管和雪崩二极管的特性与工作机理: 第4~6章详细地论述了晶体管的工作机理及其直流特性、频率特性、开关特性与功率特性;第7童给出了晶闸管的结构、原理及其导通、阻断、关断特性;第8章和第9章讲述了MOS场效应晶体管的结构、原理与特性,以及纳米级MOS器件,包括SOI结构、双栅结构、纳米线结构等;第10童论述了异质结双极晶体管、GaAs MESFET和高电子迁移率晶体管的工作原理和基本特性;第1 1套介绍了光电池、光敏晶体管和电荷耦合器件。 本书可作为高等院校电子信息、电子科学与技术、光电信息科学与技术专业的本科生教材,教师可根据专业和课时要求选学部分章节。本书亦可作为相关专业科研人员和工程技术人员的参考用书。

目录

前言教学建议第1章微电子器件物理基础1.1半导体的晶体结构与能带1.1.1  半导体的晶体结构1.1.2  半导体能带图1.1.3  半导体品格缺陷及其能级1.2半导体中载流子的统计分布1.2.1  状态密度函数与统计分布函数1.2.2  本征载流子1.2.3  非本征载流子1.3  半导体中载流子的输运规律1.3.1  载流子的产生与复合1.3.2  载流子的漂移运动1.3.3  载流子的扩散运动1.3.4  载流子的输运方程习题第2章  pn结二极管2..1  pn结杂质浓度分布2.2平衡pn结2.2.1  空间电荷区2.2.2  能带图2.2.3  接触电势差 一2.2.4  载流子浓度 一2.3 pn结的空间电荷区电场和电位分布2.3.1  突变结2.3.2  线性缓变结2.3.3  耗尽层近似2.4 pn结势垒电容2.4.1  突变结势垒电容2.4.2  线性缓变结势垒电容2.5 pn结直流特性2.5.1  非平衡载流子的注入2.5.2  反向抽取2.5.3  准费米能级和载流子浓度2.5.4直流电流电压方程2.5.5影响pn结直流特性的其他因素2.5.6温度对pn结电流和电压的影响2.6   pn结小信号交流特性与开关特性2.6.1  小信号交流特性2.6.2  开关特性2.7 pn结击穿特性2.7.1  基本击穿机构2.7.2  雪崩击穿电压2.7.3  影响雪崩击穿电压的因素习题第3章特殊二极管3.1变容二极管3.1.1   pn结电容3.1.2  电容电压特性3.1.3  变容二极管基本特性3.1.4  特殊变容二极管3.2  隧道二极管第4章晶体管直流特性第5章晶体管频率特性与开关特性第6章晶体管功率特性第7章晶闸管第8章mosfet第9章纳米级mos器件第10章半导体异质结器件第11章光电器件与电荷耦合器件附录参考文献  
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