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硅集成电路工艺基础(第二版)

硅集成电路工艺基础(第二版)

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图文详情
  • ISBN:9787301241097
  • 装帧:平装-胶订
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 开本:16开
  • 页数:408
  • 出版时间:2014-01-01
  • 条形码:9787301241097 ; 978-7-301-24109-7

内容简介

本书系统地讲述了硅集成电路制造的基础工艺,重点放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十一章,其中**章简单地讲述了硅的晶体结构和非晶体结构及其特点,第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺,包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连,*后两章分别讲述的是工艺集成和薄膜晶体管的制装工艺。本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书,也可供从事集成电路制造的工艺技术人员阅读。

目录

**章 硅晶体和非晶体
第二章 氧化
第三章 扩散
第四章 离子注入
第五章 物理气相淀积
第六章 化学气相淀积
第七章 外延
第八章 光刻工艺
第九章 金属化与多层互联
第十章 工艺集成
第十一章 薄膜晶体管制造工艺
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作者简介

关旭东 北京大学信息学院微电子系 职称:教授 研究方向:硅集成电路的设计和规划 主要作品:硅集成电路工艺基础 北京大学出版社

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