包邮硅技术的发展和未来

1 导论：各种形式的硅
　1.1 引言
　1.2 从20世纪60年代到70年代初：能带
　1.3 20世纪70年代：应用于硅的表面理论
　1.4 20世纪80年代：硅的结构能
　1.5 20世纪90年代：硅团簇与量子点的结构和电子性质
　1.6 未来展望
　参考文献
**部分 半导体体硅晶体
　2 硅：半导体材料
　　2.1 引言
　　2.2 早期历史
　　2.3 硅研究中的竞争与合作
　　2.4 *初的器件应用
　　2.5 mos技术和集成
　　2.6 结论
　　参考文献
　3 硅：一个工业奇迹
　　3.1 引言
　　3.2 主要制程
　　3.3 硅材料生产工艺
　　参考文献
第二部分 多晶硅
　4 电子器件用多晶硅薄膜
　　4.1 引言
　　4.2 多晶硅薄膜分类
　　4.3 多晶硅生长和微晶结构
　　　4.3.1 cvd多晶硅
　　　4.3.2 非晶硅晶化的多晶硅
　　　4.3.3 cvd多晶硅晶界化学
　　　4.3.4 多晶硅的掺杂
　　4.4 多晶硅的电性能
　　4.5 结论　
　　参考文献
　5 光伏用硅
　　5.1 引言
　　5.2 光伏用硅材料
　　　5.2.1 不同生产工艺的历史与现状
　　　5.2.2 薄膜沉积工艺
　　5.3 光伏硅的输运特性
　　　5.3.1 缺陷及杂质对硅输运性质的影响
　　　5.3 .2吸除改善材料性能
　　5.4 硅太阳电池
　　　5.4.1 硅太阳电池技术与其他技术的比较
　　　5.4.2 多晶硅太阳电池技术
　　5.5 结论
　　参考文献
第三部分 外延，薄膜和多孔层
　6 分子束外延薄膜
　　6.1 设备原理和生长机理
　　6.2 历史概述；
　　6.3 应变异质结构的稳定性
　　　6.3.1 应变层的临界厚度
　　　6.3.2 亚稳态膺晶生长
　　　6.3.3 器件结构的加工和退火
　　6.4 硅mbe生长膜中掺杂剂的分布
　　　6.4.1 掺杂问题
　　　6.4.2 突变和δ型掺杂分布
　　6.5 半导体器件研究
　　　6.5.1 异质结双极晶体管（hbt）
　　　6.5.2 sigemosfet和modfet
　　　6.5.3 垂直mosfet结构
　　6.6 若干研究重点介绍
　　　6.6.1 级联激光器
　　　6.6.2 表面结构
　　　6.6.3 自组织和有序化
　　6.7 结论
　　参考文献
　7 氢化非晶硅（a-si：h）
　　7.1 引言
　　7.2 a-si的制备和结构性质
　　7.3 a-si：h的电学性质
　　7.4 光致发光和光电导
　　7.5 亚稳态
　　7.6 a-si太阳电池
　　参考文献
第四部分 品格缺陷
第五部分 硅掺杂
第六部分 某些杂质的作用
第七部分 器件
第八部分 对硅的补充：化合物半导体
第九部分 新的研究领域
list of contribrtors