半导体材料与器件表征

译者序
第3版序言

第1章 电阻率
1．1 引言
1．2 两探针与四探针法
1．2．1 修正因子
1．2．2 任意形状样品的电阻率
1．2．3 测量电路
1．2．4 测量误差和注意事项
1．3 晶片图
1．3．1 双注入
1．3．2 调制光反射
1．3．3 载流子光照（CI）
1．3．4 光学密度测定（光密度计）
1．4 电阻压型
1．4．1 微分霍尔效应（DHE）
1．4．2 扩散电阻压型（SRP）
1．5 非接触测试方法
1．5．1 涡旋电流
1．6 导电类型
1．7 优点和缺点
附录1．1 电阻率随掺杂浓度的变化
附录1．2 本征载流子浓度
参考文献
习题
复习题

第2章 载流子与掺杂浓度
2．1 引言
2．2 电容-电压特性（C-V）
2．2．1 微分电容
2．2．2 能带偏移
2．2．3 *大-*小MOS-C电容
2．2．4 积分电容
2．2．5 汞探针接触
2．2．6 电化学C-V测试仪（ECV）
2．3 电容-电压（I-V）
2．3．1 MOSFET衬底电压-栅极电压
2．3．2 MOSFET阈值电压
2．3．3 扩散电阻
2．4 测量误差及注意事项
2．4．1 德拜长度和电压击穿
2．4．2 串联电阻
2．4．3 少数载流子和界面陷阱
2．4．4 二极管边缘电容和杂散电容
2．4．5 过剩漏电流
2．4．6 深能级杂质／陷阱
2．4．7 半绝缘衬底
2．4．8 仪器限制
2．5 霍尔效应
2．6 光学技术
2．6．1 等离子体共振
2．6．2 自由载流子吸收
2．6．3 红外光谱学
2．6．4 光致发光
2．7 二次离子质谱分析法（SIMS）
2．8 卢瑟福背散射（RBS）
2．9 横向分布
2．10 优点和缺点
附录2．1 并联或串联连接
附录2．2 电路转换
参考文献
习题
复习题

第3章 接触电阻和肖特基势垒
第4章 串联电阻，沟道长度与宽度，阈值电压
第5章 缺陷
第6章 栅氧电荷、界面陷阱电荷和栅氧厚度
第7章 载流子寿命
第8章 迁移率
第9章 基于电荷和探针的表征技术
第10章 光学表征
第11章 化学和物理表征
第12章 可靠性和失效分析
附录1 符号表
附录2 术语与缩写
索引