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半导体器件物理(第3版普通高等教育电子科学与技术特色专业系列教材)

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  • ISBN:9787030729156
  • 装帧:一般胶版纸
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 开本:16开
  • 页数:341
  • 出版时间:2022-10-01
  • 条形码:9787030729156 ; 978-7-03-072915-6

内容简介

本书是普通高等教育“十一五”重量规划教材。本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理、主要性能和基本工艺技术。内容包括:半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池和光电二极管、发光二极管和半导体激光器等。 本书可作为高等院校电子科学与技术、微电子学、光电子技术等专业的半导体器件物理相关课程的教材,也可供有关科研人员和工程技术人员参考。

目录

目录
第1章半导体物理基础1
1.1半导体中的电子状态1
1.1.1周期性势场1
1.1.2周期性势场中电子的波函数、布洛赫定理2
1.1.3周期性边界条件7
1.2能带8
1.3有效质量10
1.4导带电子和价带空穴12
1.4.1金属、半导体和绝缘体的区别12
1.4.2空穴14
1.5硅、锗、砷化镓的能带结构15
1.5.1等能面15
1.5.2能带图16
1.6杂质和缺陷能级17
1.6.1施主杂质和施主能级、N型半导体18
1.6.2受主杂质和受主能级、P型半导体18
1.6.3Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质19
1.6.4深能级杂质20
1.6.5缺陷能级21
1.7载流子的统计分布22
1.7.1状态密度22
1.7.2费米分布函数与费米能级23
1.7.3能带中的电子和空穴浓度24
1.7.4本征半导体25
1.7.5只有一种杂质的半导体26
1.7.6杂质补偿半导体28
1.7.7简并半导体29
1.8载流子的散射32
1.8.1格波与声子32
1.8.2载流子的散射过程34
1.9电荷输运现象36
1.9.1漂移运动、迁移率与电导率37
1.9.2扩散运动、扩散流密度和扩散电流39
1.9.3流密度、电流密度和电流方程40
1.10非均匀半导体中的自建电场40
1.10.1半导体中的静电场和静电势40
1.10.2爱因斯坦关系41
1.10.3非均匀半导体和自建电场42
1.11非平衡载流子43
1.12准费米能级45
1.12.1准费米能级的定义45
1.12.2修正的欧姆定律46
1.13复合机制46
1.13.1直接复合47
1.13.2通过复合中心的复合48
1.14表面复合和表面复合速度51
1.15半导体中的基本控制方程52
习题53
参考文献54
第2章PN结56
2.1引言56
2.2PN结制备工艺56
2.2.1合金结56
2.2.2平面工艺57
2.2.3平面PN结60
2.2.4突变结和线性缓变结61
2.3热平衡PN结62
2.3.1PN结空间电荷区62
2.3.2电场分布与电势分布63
2.3.3线性缓变结的电场分布与电势分布68
2.4加偏压的PN结70
2.4.1PN结的单向导电性70
2.4.2少数载流子的注入与输运71
2.5理想PN结二极管的直流电流-电压特性73
2.5.1理想PN结的基本假设74
2.5.2理想PN结二极管的I-V特性74
2.6空间电荷区复合电流和产生电流85
2.6.1正偏复合电流85
2.6.2反偏产生电流87
2.7大注入效应88
2.7.1大注入时的少子边界条件88
2.7.2大注入时的I-V方程88
2.8隧道电流90
2.9温度对PN结I-V特性的影响92
2.10耗尽层电容、求杂质分布和变容二极管93
2.10.1反偏PN结的C-V特性94
2.10.2求杂质分布95
2.10.3变容二极管97
2.11PN结二极管的频率特性98
2.12PN结二极管的开关特性102
2.12.1电荷存储效应和反向瞬变102
2.12.2阶跃恢复二极管104
2.13PN结击穿105
习题110
参考文献112
第3章双极结型晶体管113
3.1引言113
3.2双极结型晶体管的结构和制造工艺114
3.3双极结型晶体管的基本工作原理115
3.3.1放大作用116
3.3.2电流分量117
3.3.3直流电流增益117
3.4理想双极结型晶体管中的电流传输120
3.4.1理想BJT的基本假设120
3.4.2载流子分布与电流分量121
3.4.3不同工作模式下的少子分布和少子电流123
3.5非理想效应129
3.5.1基区宽度调变效应129
3.5.2基区扩展电阻和电流集聚效应130
3.5.3缓变基区晶体管131
3.5.4发射区禁带宽度变窄效应133
3.6埃伯斯-莫尔方程134
3.6.1埃伯斯-莫尔模型134
3.6.2工作模式和少子分布136
3.6.3反向电流和浮空电势137
3.7反向击穿特性140
3.7.1共基极击穿电压140
3.7.2共发射极击穿电压141
3.7.3穿通击穿141
3.8BJT的混接π模型及频率响应特性142
3.8.1交流电流增益143
3.8.2混接π模型143
3.8.3BJT的截止频率和特征频率147
3.8.4BJT频率响应的物理机制149
3.8.5基区展宽效应151
3.9晶体管的开关特性152
3.9.1开关工作原理152
3.9.2开关时间153
3.10*PNPN结构156
3.11*异质结双极晶体管158
3.11.1热平衡异质结158
3.11.2加偏压的异质结161
3.11.3异质结双极晶体管放大的基本理论162
3.12*几类常见的HBT164
习题165
参考文献166
第4章金属-半导体结168
4.1引言168
4.2肖特基势垒169
4.2.1肖特基势垒的形成169
4.2.2加偏压的肖特基势垒170
4.3界面态对势垒高度的影响172
4.4镜像力对势垒高度的影响174
4.5肖特基势垒二极管的结构177
4.6肖特基势垒二极管的电流-电压特性177
4.6.1肖特基势垒二极管的电流机制178
4.6.2肖特基势垒二极管的热离子发射理论179
4.6.3利用I-V关系测量肖特基势垒高度182
4.6.4少子空穴的注入电流184
4.7金属-绝缘体-半导体隧道二极管185
4.8肖特基势垒二极管和PN结二极管之间的比较185
4.9肖特基势垒二极管的应用186
4.9.1肖特基势垒检波器或混频器187
4.9.2肖特基钳位晶体管187
4.10欧姆接触188
习题189
参考文献190
第5章结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管191
5.1引言191
5.2JFET的基本结构和工作原理191
5.2.1JFET的基本结构191
5.2.2JFET的工作原理192
5.2.3JFET的特点194
5.3理想JFET的I-V特性195
5.3.1理想JFET的基本假设195
5.3.2夹断电压和内夹断电压196
5.3.3直流I-V方程197
5.4JFET的特性198
5.4.1线性区199
5.4.2饱和区199
5.4.3击穿特性200
5.4.4输出导纳201
5.4.5跨导201
5.5非理想因素的影响202
5.5.1沟道长度调制效应202
5.5.2速度饱和效应203
5.6等效电路和截止频率205
5.6.1交流小信号等效电路205
5.6.2JFET的*高工作频率207
5.7金属-半导体场效应晶体管207
5.8JFET和MESFET的类型209
5.9*异质结MESFET和HEMT209
习题211
参考文献211
第6章金属-氧化物-半导体场效应晶体管213
6.1引言213
6.2理想MOS结构的表面空间电荷区214
6.2.1半导体表面空间电荷区215
6.2.2载流子积累、耗尽和反型215
6.2.3反型和强反型条件217
6.3理想MOS电容器218
6.4沟道电导与阈值电压225
6.4.1沟道电导225
6.4.2阈值电压226
6.5实际MOS的电容-电压特性和阈值电压227
6.5.1功函数差的影响227
6.5.2界面陷阱和氧化物电荷的影响229
6.5.3阈值电压和C-V曲线231
6.6MOS场效应晶体管234
6.6.1基本结构和工作原理234
6.6.2MOSFET的I-V方程236
6.7等效电路和频率响应240
6.7.1小信号参数241
6.7.2频率响应242
6.8MOS场效应晶体管的类型243
6.9影响阈值电压的因素244
6.9.1掺杂浓度的影响244
6.9.2氧化层厚度的影响245
6.9.3衬底偏压的影响246
6.10MOSFET的亚阈值特性247
6.11MOSFET的非理想效应250
6.11.1沟道长度调制效应250
6.11.2漏致势垒降低效应251
6.11.3迁移率的影响252
6.11.4漂移速度饱和效应253
6.11.5弹道输运255
6.12短沟道效应及器件尺寸按比例缩小255
6.12.1短沟道效应256
6.12.2保持电场恒定的按比例缩小规则256
6.12.3*小沟道长度限定的缩小规则259
习题261
参考文献262
第7章电荷转移器件264
7.1电荷转移264
7.2深耗尽状态和表面势阱265
7.3MOS电容的瞬态特性267
7.4信号电荷的输运传输效率269
7.5电极排列和CCD制造工艺271
7.5.1三相CCD271
7.5.2二相CCD273
7.6埋沟CCD274
7.7信号电荷的注入和检测275
7.7.1信号电荷的注入275
7.7.2信号电荷的检测276
7.8集成斗链器件277
7.9*电荷耦合图像器278
习题279
参考文献279
第8章半导体太阳电池和光电二极管280
8.1半导体中光吸收280
8.2太阳电池的结构及工作原理282
8.2.1太阳电池的基本结构282
8.2.2PN结的光生伏打效应283
8.3太阳电池的I-V特性284
8.4太阳电池的效率285
8.5光产生电流与收集效率286
8.6影响太阳电池效率的因素288
8.7肖特基势垒和MIS太阳电池291
8.8*非晶硅(a-Si)太阳电池292
8.8.1非晶硅PIN结太阳电池293
8.8.2非晶硅肖特基势垒太阳电池293
8.9光电二极管的基本结构与工作原理294
8.9.1PIN光电二极管294
8.9.2*雪崩光电二极管295
8.9.3*金属-半导体光电二极管296
8.9.4*异质结光电二极管296
8.10光电二极管的特性参数297
8.10.1量子效率和响应度297
8.10.2响应速度298
8.10.3噪声特性299
8.10.4其他几个概念299
习题301
参考文献302
第9章发光二极管和半导体激光器303
9.1辐射复合与非辐射复合303
9.1.1辐射复合304
9.1.2非辐射复合309
9.2LED的基本结构和工作原理311
9.3LED的特性参数312
9.3.1I-V特性312<
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节选

第1章半导体物理基础 半导体物理知识是学习半导体器件物理课程的基础。为了方便学过半导体物理的学生在使用本书时对半导体物理的有关知识进行回顾和查阅,也为了给没有学过半导体物理的读者提供必要的参考,在本章简要介绍半导体的基本性质,主要内容包括半导体能带理论的主要结果、半导体中载流子的统计分布、费米能级的计算、载流子的输运和半导体中的基本控制方程等。半导体表面和半导体光学性质等是半导体物理的重要内容。为使本章的内容不过于冗长,并便于学习相关器件的物理知识,分别把它们放在有关章节(见第8、9章)进行介绍。相信这些内容可为读者学习半导体器件物理提供足够的预备知识。如果读者还觉得本书所介绍的内容不够全面、深入和详尽,可参阅标准的半导体物理和固体物理等教材。 1.1半导体中的电子状态 电子状态是指电子的运动状态,简称为电子态、量子态等。半导体之所以具有异于金属和绝缘体的物理性质是源于半导体内电子的运动规律。半导体内电子的运动规律是由半导体中的电子状态决定的。 1.1.1周期性势场 晶体中原子的排列是长程有序的,这种现象称为晶体内部结构的周期性。晶体内部结构的周期性可以用晶格来形象地描绘。晶格是由无数个相同单元周期性重复排列组成的。这种重复排列的单元称为晶胞。晶胞的选取是任意的,其中结构*简单、体积*小的晶胞称为原胞。原胞是平行六面体。原胞只含有一个格点,格点位于平行六面体的顶角上。 以原胞的任一格点为原点,方向分别沿三个互不平行的边,长度分别等于原胞三个边长的一组基矢量称为原胞的基矢(basis vector),记为a1, a2, a3。矢量 称为晶格矢量。式中,m1,m2,m3是任意整数。r和r'=r+Rm为不同原胞的对应点,两者相差一个晶格矢量。可以说,不同原胞的对应点相差一个晶格矢量。反过来也可以说,相差一个晶格矢量的两点是不同原胞的对应点。通过晶格矢量的平移可以定出所有原胞的位置,所以Rm也称为晶格平移矢量(translation vector)。 晶体内部结构的周期性意味着,在晶体内部不同原胞的对应点处原子的排列情况相同,晶体的微观物理性质相同。因此,对于不同原胞的对应点,晶体的电子势能函数相同,即 式(1-1-2)是晶体的周期性势场的数学描述。 在绝热近似和单电子近似下,晶体中电子所处的势场可以看作周期性势场。图1-1所示为一维周期性势场的示意图。V1, V2, V3, 分别代表原子1, 2, 3, 的势场,V代表叠加后的晶体势场。 图1-1一维周期性势场的示意图 具有能量E1或E2的电子可以在原子1的势场中运动,根据量子力学的隧道效应,它还可以通过隧道效应越过势垒V到势阱2,势阱3, 中运动。换言之,在周期性势场中,属于某个原子的电子既可以在该原子附近运动,也可以在其他的原子附近运动。通常把前者称为局域化运动,而把后者称为共有化运动。相应的电子态分别称为局域态(local states)(原子轨道)和扩展态(extended states)(晶格轨道)。晶体中电子的运动既有局域化的特征又有共有化的特征。如果电子能量较低,如图1-1(a)中的E2,那么在该能态电子受原子核束缚较强,势垒V-E2较大,电子从势阱1穿过势垒进入势阱2的概率就比较小。对于处在这种能量状态的电子,它的共有化运动的程度就比较小。但对于束缚能较弱的状态E1,由于势垒V-E1的值较小,穿透隧道的概率就比较大。因此,处于状态E1的电子共有化的程度比较大。价电子是原子的*外层电子,受原子的束缚比较弱,所以共有化的特征就比较显著。在研究半导体中的电子状态时,*感兴趣的正是价电子的电子状态。 1.1.2周期性势场中电子的波函数、布洛赫定理 晶体是由规则地周期性排列起来的原子所组成的,每个原子又包含有原子核和核外电子。原子核和电子之间、电子和电子之间存在着库仑作用。因此,它们的运动不是彼此无关的,应该把它们作为一个体系统一地加以考虑。也就是说,晶体中电子运动的问题是一个多体问题。为使问题简化,可以近似地把每个电子的运动单独地加以考虑,即在研究一个电子的运动时,把在晶体中各处的其他电子和原子核对这个电子的库仑作用,按照它们的概率分布,平均地加以考虑,这种近似称为单电子近似(single electron approximation),也称为哈特里-福克(Hartree-Fock)近似。这样,一个电子所受的库仑作用仅随它自己位置的变化而变化,它的运动便由仅包含这个电子的坐标的薛定谔方程(波动方程)决定,表示为 式中,为电子的动能算符,V(r)为电子的势能算符,E为电子的能量,ψ(r)为电子的波函数,h为普朗克常量,称为约化普朗克常量。 布洛赫(Bloch)定理指出:如果势函数V(r)有晶格的周期性,即 则方程(1-1-3)的解ψ(r)表示为 式中,uk(r)为一个与晶格具有同样周期性的周期性函数,即 Rm为式(1-1-1)所定义的晶格平移矢量。k为波矢量,是任意实数矢量,它是标志电子运动状态的量。k=称为波数,为波长。由式(1-1-4)所确定的波函数称为布洛赫函数或布洛赫波。在r + Rm处,有 即 式(1-1-6)是布洛赫定理的另一种表述。式(1-1-6)说明,晶体中不同原胞对应点处的电子波函数只差一个模量为1的因子。也就是说,在晶体中各个原胞对应点处电子出现的概率相同,即电子可以在整个晶体中运动—共有化运动。 现在考察波矢量为k和波矢量为k'=k + Kn的两个状态,其中 称为倒格矢。b1, b2, b3称为与基矢a1, a2, a3相应的倒基矢(reciprocal basis vector)。n1, n2, n3为任意整数。由b1, b2, b3所构成的空间称为倒空间或倒格子(reciprocal lattice)。b1, b2, b3与a1, a2, a3之间具有正交关系,表示为 且 其中 为晶格原胞的体积。显然,晶格平移矢量Rm和倒格矢Kn之间满足 利用上式,有 由于k是标志电子运动状态的量,因此上式说明相差倒格矢Kn的两个k代表的是同一个状态。这样,为了表示晶体中不同的电子态,只需要把k限制在以下范围(**布里渊(Brillouin)区)就可以了,即 或写为 式(1-1-11)所定义的区域称为k空间的**布里渊区。 布里渊区是把倒空间划分成的一些区域,它是这样划分的:在倒空间,作原点与所有倒格点之间连线的中垂面,这些平面便把倒空间划分成一些区域,其中,距原点*近的一个区域为**布里渊区,距原点次近的若干个区域组成第二布里渊区,以此类推。这些中垂面就是布里渊区的分界面。 在布里渊区边界上的k的代表点,都位于倒格矢Kn的中垂面上,它们满足下面的平面方程: 即 k取遍k空间除原点以外的所有k的代表点。可以证明,这样划分的布里渊区,具有以下特性: (1)每个布里渊区的体积都相等,而且等于一个倒原胞的体积。 (2)每个布里渊区的各个部分经过平移适当的倒格矢Kn之后,可使一个布里渊区与另一个布里渊区相重合。 (3)每个布里渊区都是以原点为中心而对称地分布着,而且具有正格子和倒格子的点群对称性。布里渊区可以组成倒空间的周期性的重复单元。 常见金刚石结构和闪锌矿结构具有面心立方晶格,其**布里渊区如图1-2所示。布里渊区中心用Γ表示。6个对称的〈100〉轴用表示。8个对称的〈111〉轴用表示。12个对称的〈110〉轴用Σ表示。符号X,L,K分别表示〈100〉、〈111〉、〈110〉轴与布里渊区边界的交点。 在6个对称的X点中,每一个点都与另一个相对于原点同它对称的点相距一个倒格矢,它们是彼此等价的。不等价的X点只有三个。同理,在8个对称的L点中不等价的只有4个。 下面来证明布洛赫定理。 引入电子的哈密顿算符 则波动方程(1-1-3)可以简写成 引入平移算符(translation operator)T(Rm),其定义为,当它作用在任意函数f?(r)上后,将函数中的变量r换成r+Rm,得到r的另一函数f(r+Rm),即 对于任意两个平移算符T(Rm)和T(Rn),有 这说明两个平移操作接连进行的结果,不依赖于它们的先后次序,即平移算符彼此之间是可以交换的,即 在周期性势场中运动的电子的势函数V(r)具有晶格的周期性,如式(1-1-2)所示,因而有 上式表明,任意一个晶格平移算符T(Rm)和电子的哈密顿算符H是对易的,即 根据量子力学的一个普遍定理,这些线性算符具有共同的本征函数。或者说,存在这样的表象,在此表象中,这些算符的矩阵元素同时对角化。 容易证明,为了选择H的本征函数,使得它们同时也是所有平移算符的本征函数,只需要它们是三个基本平移算符T(a1),T(a2),T(a3)的本征函数就够了。也就是说,如果ψ(r)是基本平移算符T(aj)的本征函数,则它也是平移算符T(Rm)的本征函数。 证明如下:假设ψ(r)是三个基本平移算符T(a1),T(a2),T(a3)的本征函数,即 于是 可见,若C(a1),C(a2),C(a3)分别是三个基本平移算符的本征值,则就是平移算符T(Rm)的本征值。ψ(r)也就是算符T(Rm)的属于本征值的本征函数。于是,可以这样来选择波动方程(1-1-3)的解,使它们同时也是所有平移算符的本征函数。 由于平移算符T(Rm)和H满足对易关系,因此若ψ(r)是H的本征函数,则经过平移后的函数ψ(r+Rm)一定也都是H的本征函数。要求这些函数都满足归一化条件,因而它们之间的比例系数的绝对值必须等于1,即 (m1,m2,m3是任意整数) 该式成立的充分必要条件是 即要求这三个常数只可能是模量为1的复数。它们一般可以写成 式中,β1,β2,β3为三个任意实数。以这三个实数为系数,把三个倒基矢线性组合起来,得到一个实数矢量k 根据正基矢与倒基矢之间的正交关系可以把式(1-1-18)改写为 代替β1,β2,β3,引入了矢量k。 需要说明的是,在量子力学中,算符代表一定的力学量,力学量的本征值是实数,相应的算符为厄米算符。平移算符只是一种对称操作,不代表物理量,不具有厄米算符的性质,故其本征值可以是复数。将式(1-1-20)代入式(1-1-17),得到 此即前面给出的式(1-1-6)。 利用波函数ψ(r)可以定义一个新的函数 根据式(1-1-6),容易证明,函数u(r)具有晶格的周期性 于是,由式(1-1-21)可以将周期性势场中电子的波函数表示为 式中,u(r)具有晶格的周期性。 根据以上分析,周期性势场中电子的波函数可以表示成一个平面波和一个周期性因子的乘积。平面波的波矢量为实数矢量k,它可以用来标志电子的运动状态。不同的k代表不同的电子态,因此,k也同时起着一个量子数的作用。为明确起见,在波函数上附加一个指标k,写为 至此,布洛赫定理得证。 相应的本征值(即能量谱值)为E = E(k)。 根据式(1-1-23)可以得出以下几点。 (1)波矢量k只能取实数值,若k取为复数,则在波函数中将出现衰减因子,这样的解不能代表电子在完整晶体中的稳定状态。 (2)平面波因子eik r与自由电子的波函数相同,它描述电子在各原胞之间的运动—共有化运动。

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