包邮半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法(2021材料基金)

目录 第1章半导体物理基础 …………………………………………………………001 1.1 概述 ………………………………………………………………………001 1.2 半导体的晶体结构与价键模型 ………………………………………002 1.3 半导体能带 ……………………………………………………………017 1.4 热平衡载流子 …………………………………………………………022 1.5 载流子输运现象 ………………………………………………………034 1.6 非平衡载流子 …………………………………………………………040 1.7 缺陷对载流子输运性质的影响 ………………………………………053 1.8 缺陷结构和性质的理论模拟 …………………………………………060 本章参考文献 …………………………………………………………………079 第2章 半导体材料器件与原始缺陷 ……………………………………………082 2.1 半导体材料概述 ………………………………………………………082 2.2 硅、锗及其外延材料 ……………………………………………………085 2.3化合物半导体材料 ……………………………………………………117 2.4 宽禁带半导体材料 ……………………………………………………129 2.5其他半导体材料 ………………………………………………………144 2.6二极管 ……………………………………………………………………149 2.7 双极型晶体管 …………………………………………………………159 2.8MOS场效应晶体管 ……………………………………………………170 本章参考文献……………………………………………………………………180 第3章辐射诱导缺陷 ……………………………………………………………182 3.1 辐射物理基础 …………………………………………………………182 3.2原子位移 …………………………………………………………………201 3.3 级联损伤 …………………………………………………………………215 3.4 辐射诱导缺陷模拟仿真 ………………………………………………227 本章参考文献 ……………………………………………………………………283 第4章 缺陷表征与分析方法 ……………………………………………………285 4.1半导体材料参数测试 …………………………………………………286 4.2半导体器件参数测试 …………………………………………………320 4.3 深能级瞬态谱测试 ……………………………………………………342 4.4光致荧光谱测试 ………………………………………………………368 本章参考文献 …………………………………………………………………390 名词索引 ……………………………………………………………………………………393 附录 部分彩图 …………………………………………………………………………395