半导体器件物理导论

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作者：向斌

出版社：中国科学技术大学出版社

本类榜单：教材

分类：教材 > 研究生/本科/专科教材 > 工学

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图文详情

ISBN：9787312058035
装帧：平装-胶订
册数：暂无
重量：暂无
开本：16开
页数：152
出版时间：2024-01-01
条形码：9787312058035 ; 978-7-312-05803-5

本书特色

内容丰富、精炼，着重介绍半导体器件的基础知识，对问题的叙述着重基本物理图像，以说透物理意义为主，尽量少用数学公式，不作数学推导。许多问题都不作定量的深入展开。希望用通俗易懂的文字把器件原理的物理图像呈现给读者，旨在帮助读者更好地理解半导体器件的工作原理和性能，为读者具备设计和优化新型器件的能力，建立一个扎实的学科基础。

内容简介

主要介绍半导体器件基本原理相关内容,反映当今半导体器件在概念和性能等方面的近期新进展,可以使读者快速地了解当今主要半导体器件,如双极、场效应、微波和光子器件的性能特点。内容包括:半导体基本知识,半导体pn 结、金属-半导体接触、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管、光器件、高压功率器件、器件微纳加工技术、半导体器件辐射效应。本书可作为高等院校微电子技术专业大四本科生和研究生一年级的教学用书,也可以作为半导体芯片科研人员的参考书。

**章半导体基本知识 1.1 电子材料及分类 1.2 半导体材料特性 1.3 半导体能带结构 1.4 载流子输运第二章半导体pn结 2.1 热平衡状态 2.2 非平衡状态 2.3 耗尽层电容 2.4 pn结直流特性第三章金属-半导体接触 3.1 功函数 3.2 肖特基接触 3.3 欧姆接触 3.4 肖特基势垒二极管 3.5 表面态 3.6 金属-半导体接触能带结构图第四章金属-氧化物-半导体场效应晶体管 4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）器件结构及能带图 4.2 耗尽层宽度 4.3表面电荷浓度 4.4功函数差 4.5 平带电压 4.6 阈值电压 4.7 电容-电压特性 4.8 MOSFET基本工作原理 4.9 跨导 4.10 频率限制特性 4.11 亚阈值电导 4.12 沟道长度的调制 4.13 迁移率变化及速度饱和 4.14 弹道输运 4.15 单电子晶体管第五章双极晶体管 5.1 双极晶体管的工作原理 5.2 双极晶体管的工作模式 5.3 双极晶体管的放大作用 5.4 双极晶体管两种击穿机制 5.5 漂移晶体管第六章结型场效应晶体管 6.1 pn JFET的基本工作原理 6.2 MESFET的基本工作原理 6.3 pn JFET夹断电压 6.4 pn JFET I-V特性 6.5 pn JFET跨导 6.6 MESFET阈值电压和I-V特性第七章光器件 7.1 光学吸收及其吸收系数 7.2 pn结太阳能电池 7.3 异质结太阳能电池 7.4 非晶态硅太阳能电池 7.5 光电导体 7.6 PN结光电二极管 7.7 PIN光电二极管 7.8 发光二级管 7.9 激光二极管第八章高压功率器件 8.1 功率MOSFET 8.2 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 8.3 碳化硅PIN二极管高压器件 8.4 碳化硅PIN二极管微波器件第九章器件微纳加工技术 9.1 光学曝光技术 9.2 电子束曝光技术 9.3 纳米压印技术 9.4 刻蚀技术第十章半导体器件辐射效应 10.1 器件辐射损伤 10.2 双极晶体管辐射损伤基本现象 10.3 双极晶体管辐射损伤基本机理 10.4 双极晶体管结构加固基本措施

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