包邮电工学(第8版)(下册)

绪论 第1章 半导体器件 1.1 半导体的导电特性 1.1.1 本征半导体 1.1.2 N型半导体和P型半导体 1.2 PN结及其单向导电性 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.3 PN结的伏安特性及反向击穿 1.2.4 PN结的结电容 1.3 二极管 1.3.1 基本结构 1.3.2 伏安特性曲线 1.3.3 主要参数 1.3.4 二极管的等效电路模型 1.4 稳压二极管 1.4.1 伏安特性曲线 1.4.2 主要参数 1.5 双极型晶体管(BJT) 1.5.1 基本结构 1.5.2 电流分配关系和放大原理 1.5.3 性曲式 1.5.4 主要参数 1.5.5 BJT的小信号电路模型 1.6 场效应晶体管(FET) 1.6.1 缘栅场效应晶体管的基本结构、工作原理和特性曲线 1.6.2 主要参数及使用注意事项 1.6.3 MOSFET的小信号电路机现 1.6.4 场效应晶体管与双极型晶体管的比较 1.7 半导体光电器件 1.7.1 发光二极管 1.7.2 光电二极管 1.7.3 光电晶体管 1.7.4 光电耦合器 习题 第2章 基本放大电路 2.1 共发射极放大电路的组成 2.2 放大电路的静态分析 2.2.1 用放大电路的直流通路确定静态值 2.2.2 用图解法确定静态值 2.3 放大电路的动态分析 2.3.1 微变等效电路法 2.3.2 图解法 2.4 静态工作点的稳定 2.5 射极输出器 2.5.1 静态分析 2.5.2 动态分析 2.6 场效应晶体管放大电路 2.6.1 共源极放大电路 2.6.2 共漏极放大电路